Transistor bipolar 2SB1151-M

Características del transistor 2SB1151-M

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1151-M

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1151-M puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB1151 estará en el rango de 100 a 400, para el 2SB1151-K estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB1151-L estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1151-M puede estar marcado sólo como "B1151-M".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1151-M es el 2SD1691-M.

Versión SMD del transistor 2SB1151-M

El BDP950 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB1151-M.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1151-M

Puede sustituir el 2SB1151-M por el KSB1151 o KSB1151-O.
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