Transistor bipolar 2SB1151-M

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
• Disipación de Potencia Máxima: 20 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 100 a 200
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB1151-M puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB1151 estará en el rango de 100 a 400, para el 2SB1151-K estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB1151-L estará en el rango de 160 a 320.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1151-M puede estar marcado sólo como "B1151-M".El transistor NPN complementario del 2SB1151-M es el 2SD1691-M.El BDP950 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB1151-M.Puede sustituir el 2SB1151-M por el KSB1151 o KSB1151-O.