Transistor bipolar 2SB1151-K

Características del transistor 2SB1151-K

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1151-K

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1151-K puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SB1151 estará en el rango de 100 a 400, para el 2SB1151-L estará en el rango de 160 a 320, para el 2SB1151-M estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1151-K puede estar marcado sólo como "B1151-K".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1151-K es el 2SD1691-K.

Versión SMD del transistor 2SB1151-K

El 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) y BDP950 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB1151-K.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1151-K

Puede sustituir el 2SB1151-K por el KSB1151, KSB1151-G, KTB1151 o KTB1151-Y.
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