Transistor bipolar 2SB1141-T

Características del transistor 2SB1141-T

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -18 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -20 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +125 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1141-T

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1141-T puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SB1141 estará en el rango de 70 a 400, para el 2SB1141-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB1141-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1141-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1141-T puede estar marcado sólo como "B1141-T".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1141-T es el 2SD1681-T.

Versión SMD del transistor 2SB1141-T

El 2SA1365 (SOT-23), BCX69 (SOT-89) y BCX69-25 (SOT-89) es la versión SMD del transistor 2SB1141-T.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1141-T

Puede sustituir el 2SB1141-T por el 2SA2196, 2SA2197, 2SB1127, 2SB1127-T, 2SB1140, 2SB1140-T, 2SB772, 2SB772E, 2SB772GR, BD186, KSB772, KSB772-G, KSH772, KSH772-G, KTB772, KTB772-GR o MJE370.
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