Transistor bipolar 2SB772

Características del transistor 2SB772

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 80 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB772

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB772 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 400. La ganancia del 2SB772E estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB772GR estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB772O estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB772P estará en el rango de 160 a 320, para el 2SB772Q estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB772R estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB772Y estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB772 puede estar marcado sólo como "B772".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB772 es el 2SD882.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB772

Puede sustituir el 2SB772 por el BD132, BD186, BD188, BD190, KSB772, KSH772, MJE232, MJE235 o MJE370.
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