Transistor bipolar 2SB1141-R

Características del transistor 2SB1141-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -18 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -20 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +125 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1141-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1141-R puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB1141 estará en el rango de 70 a 400, para el 2SB1141-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB1141-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SB1141-T estará en el rango de 200 a 400.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1141-R puede estar marcado sólo como "B1141-R".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1141-R es el 2SD1681-R.

Versión SMD del transistor 2SB1141-R

El BCX69 (SOT-89) y BCX69-16 (SOT-89) es la versión SMD del transistor 2SB1141-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1141-R

Puede sustituir el 2SB1141-R por el 2SA1120, 2SA1357, 2SA1357-O, 2SA715, 2SA715-C, 2SA738, 2SB1009, 2SB1127, 2SB1127-R, 2SB1140, 2SB1140-R, 2SB559, 2SB559-E, 2SB743, 2SB743-Q, 2SB772, 2SB772O, 2SB772Q, BD186, KSB772, KSB772-O, KSH772, KSH772-O, KTA1705, KTB772, KTB772-O o MJE370.
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