Transistor bipolar 2N5876

Características del transistor 2N5876

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 150 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2N5876

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2N5876 es el 2N5878.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5876

Puede sustituir el 2N5876 por el 2N5880, 2N5884, 2N5884G, 2N6247, 2N6248, MJ14003, MJ14003G o MJ2941.
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