Bipolartransistor MMBTA65

Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBTA65

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50000
  • Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des MMBTA65

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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