Bipolartransistor MMBTA63
Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBTA63
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 5000
- Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des MMBTA63
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBTA63
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