Bipolartransistor BCV26

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCV26

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10000
  • Übergangsfrequenz, min: 220 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCV26

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCV26 ist der BCV27.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com