Bipolartransistor MJE3055

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE3055

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-127

Pinbelegung des MJE3055

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE3055 ist der MJE2955.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE3055

Sie können den Transistor MJE3055 durch einen 2N5990, 2N5991, MJE1661 oder NTE182 ersetzen.
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