Bipolartransistor 2N5990

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-127

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5990 ist der 2N5987.Sie können den Transistor 2N5990 durch einen 2N5991 ersetzen.