Bipolartransistor 2N5991

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5991

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-127

Pinbelegung des 2N5991

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5991 ist der 2N5988.
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