Bipolartransistor KTA708-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTA708-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SA708O transistor

Pinbelegung des KTA708-O

Der KTA708-O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTA708-O kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTA708 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des KTA708-Y im Bereich von 100 bis 200.

SMD-Version des Transistors KTA708-O

Der FMMT551 (SOT-23), KTA1668 (SOT-89) und KTA1668O (SOT-89) ist die SMD-Version des KTA708-O-Transistors.

Transistor KTA708-O im TO-92-Gehäuse

Der 2SA708O ist die TO-92-Version des KTA708-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTA708-O

Sie können den Transistor KTA708-O durch einen 2SA1283, 2SB647, 2SB647A, 2SB647AB oder 2SB647B ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com