Bipolartransistor KSC5030-R
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5030-R
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
- Verlustleistung, max: 100 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 30
- Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des KSC5030-R
Klassifizierung von hFE
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5030-R
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