Bipolartransistor KSC5030-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5030-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des KSC5030-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC5030-O kann eine Gleichstromverstärkung von 20 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5030 liegt im Bereich von 10 bis 40, die des KSC5030-N im Bereich von 10 bis 20, die des KSC5030-R im Bereich von 15 bis 30.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5030-O

Sie können den Transistor KSC5030-O durch einen 2SC3153, 2SC3153-M, 2SC3460, 2SC3460-N, 2SC3461, 2SC3461-N, 2SC3552, 2SC3552-M, 2SC3992, 2SC3992-M, 2SC3993, 2SC3993-M, 2SC3994, 2SC3994-M, 2SD1399, 2SD1403, KSC3552 oder KSC3552-O ersetzen.
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