Bipolartransistor KSC5030

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5030

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des KSC5030

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC5030 kann eine Gleichstromverstärkung von 10 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5030-N liegt im Bereich von 10 bis 20, die des KSC5030-O im Bereich von 20 bis 40, die des KSC5030-R im Bereich von 15 bis 30.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5030

Sie können den Transistor KSC5030 durch einen 2SC3153, 2SC3460, 2SC3461, 2SC3552, 2SC3992, 2SC3993, 2SC3994, 2SD1399, 2SD1403 oder KSC3552 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com