Bipolartransistor KSC5021F-O
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5021F-O
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 500 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 800 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 40
- Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des KSC5021F-O
Klassifizierung von hFE
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5021F-O
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com