Bipolartransistor KSA1156N

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA1156N

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 60
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SA1156N transistor

Pinbelegung des KSA1156N

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA1156N kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 60 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA1156 liegt im Bereich von 30 bis 200, die des KSA1156O im Bereich von 60 bis 120, die des KSA1156R im Bereich von 40 bis 80, die des KSA1156Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA1156N ist der KSC2752O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA1156N

Sie können den Transistor KSA1156N durch einen 2SA1156 oder 2SA1156N ersetzen.
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