Bipolartransistor 2SA1156
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1156
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -400 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -400 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 10 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 200
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SA1156
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1156
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