Bipolartransistor FJV992-F
Elektrische Eigenschaften des Transistors FJV992-F
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
- Verlustleistung, max: 0.3 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 600
- Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular 2SA992F transistor
Pinbelegung des FJV992-F
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Transistor FJV992-F im TO-92-Gehäuse
Ersatz und Äquivalent für Transistor FJV992-F
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