Bipolartransistor FJA4213R
Elektrische Eigenschaften des Transistors FJA4213R
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -17 A
- Verlustleistung, max: 130 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 110
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des FJA4213R
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor FJA4213R
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com