Bipolartransistor 2SA1962R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1962R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -17 A
  • Verlustleistung, max: 130 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 110
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SA1962R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1962R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 110 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1962 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SA1962O im Bereich von 80 bis 160.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1962R-Transistor könnte nur mit "A1962R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1962R ist der 2SC5242R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1962R

Sie können den Transistor 2SA1962R durch einen FJA4213, FJA4213R, FJL4215, FJL4215R oder MAG9413 ersetzen.
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