Bipolartransistor 2SA1962R
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1962R
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -17 A
- Verlustleistung, max: 130 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 110
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SA1962R
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1962R
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