Bipolartransistor FJA4210R

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJA4210R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des FJA4210R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJA4210R kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJA4210 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des FJA4210O im Bereich von 70 bis 140, die des FJA4210Y im Bereich von 90 bis 180.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum FJA4210R ist der FJA4310R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJA4210R

Sie können den Transistor FJA4210R durch einen 2SA1106, 2SA1186, 2SA1186-O, 2SA1294, 2SA1294-O, 2SA1303, 2SA1303-O, 2SA1386, 2SA1386-O, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1491, 2SA1491-O, 2SA1492, 2SA1492-O, 2SA1695, 2SA1695-O, 2SA2151, 2SA2151-O, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SA2223, 2SA2223-O, 2SA2223A, 2SA2223A-O, MAG9413, MAG9413A, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.
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