Bipolartransistor BDT32B

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 10 bis 50
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT32B ist der BDT31B.Sie können den Transistor BDT32B durch einen BDT32C, D44C10, D45C10, MJF32C, MJF32CG, TIP32B, TIP32BG, TIP32C, TIP32CF, TIP32CG, TIP32D, TIP32E oder TIP32F ersetzen.