Bipolartransistor BDT31B

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 10 bis 50
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT31B ist der BDT32B.Sie können den Transistor BDT31B durch einen BDT31C, MJF31C, MJF31CG, TIP31B, TIP31BG, TIP31C, TIP31CF, TIP31CG, TIP31D, TIP31E oder TIP31F ersetzen.