Bipolartransistor TIP32E

Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP32E

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 10 bis 50
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des TIP32E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum TIP32E ist der TIP31E.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP32E

Sie können den Transistor TIP32E durch einen TIP32D oder TIP32F ersetzen.

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