Bipolartransistor TIP31E

Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP31E

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 10 bis 50
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des TIP31E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum TIP31E ist der TIP32E.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP31E

Sie können den Transistor TIP31E durch einen TIP31D oder TIP31F ersetzen.

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