Bipolartransistor BCP56-16
Elektrische Eigenschaften des Transistors BCP56-16
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 1.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-223
Pinbelegung des BCP56-16
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BCP56-16
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