Bipolartransistor BC108C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC108C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des BC108C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC108C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC108 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC108A im Bereich von 110 bis 220, die des BC108B im Bereich von 200 bis 450.

SMD-Version des Transistors BC108C

Der MMBT5089 (SOT-23) und MMBTH10 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC108C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC108C

Sie können den Transistor BC108C durch einen BC109 oder BC109C ersetzen.
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