Bipolartransistor BC109C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC109C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.5 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des BC109C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC109C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC109 liegt im Bereich von 200 bis 800, die des BC109B im Bereich von 200 bis 450.

SMD-Version des Transistors BC109C

Der MMBT5089 (SOT-23) und MMBTH10 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC109C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC109C

Sie können den Transistor BC109C durch einen BC108 oder BC108C ersetzen.
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