Bipolartransistor 2SD874A-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD874A-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SD874A-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD874A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD874A liegt im Bereich von 85 bis 340, die des 2SD874A-Q im Bereich von 85 bis 170, die des 2SD874A-S im Bereich von 170 bis 340.

Kennzeichnung

Der 2SD874A-R-Transistor ist als "YR" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD874A-R ist der 2SB766A-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD874A-R

Sie können den Transistor 2SD874A-R durch einen 2SC2873, 2SC2873-Y, 2SC3444, 2SD1622, 2SD1623, 2SD1624, BCX55, BCX55-16, BCX56, BCX56-16, BSR41, BSR43 oder KTC4378 ersetzen.
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