Bipolartransistor 2SD668

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD668

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SD668

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD668 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD668-B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD668-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD668-D im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD668-Transistor könnte nur mit "D668" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD668 ist der 2SB648.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD668

Sie können den Transistor 2SD668 durch einen 2SC2274K, 2SC2383, 2SC3228, 2SD438, 2SD666, 2SD667, HSD1609S, KSC1009C, KSC2383 oder KTC3228 ersetzen.
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