Bipolartransistor 2SC5099

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC5099

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SC5099

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC5099 kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC5099-O liegt im Bereich von 50 bis 100, die des 2SC5099-P im Bereich von 70 bis 140, die des 2SC5099-Y im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC5099-Transistor könnte nur mit "C5099" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC5099 ist der 2SA1907.

SMD-Version des Transistors 2SC5099

Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SC5099-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC5099

Sie können den Transistor 2SC5099 durch einen 2SC4886, 2SC5100, 2SC5101, 2SD1486, 2SD1487, 2SD1488 oder FJAF4310 ersetzen.
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