Bipolartransistor 2SC3599-D

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3599-D

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 500 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SC3599-D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3599-D kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3599 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SC3599-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SC3599-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SC3599-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3599-D-Transistor könnte nur mit "C3599-D" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3599-D ist der 2SA1405-D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3599-D

Sie können den Transistor 2SC3599-D durch einen 2SC2481, 2SC2481-R, 2SC2690, 2SC2690-R, 2SC2690A, 2SC2690A-R, 2SC3621, 2SC3621-R, 2SC3954, 2SC3954-D, 2SD600K, 2SD600K-D, 2SD669, 2SD669-B, 2SD669A, 2SD669A-B, KSC2690, KSC2690-R, KSC2690A, KSC2690A-R, MJE341, MJE344 oder MJE344G ersetzen.
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