Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3116-R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SC3116-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC3116-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3116 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SC3116-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SC3116-T im Bereich von 200 bis 400.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3116-R-Transistor könnte nur mit "C3116-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3116-R ist der 2SA1248-R.