Bipolartransistor 2SC3116-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3116-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SC3116-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3116-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3116 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SC3116-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SC3116-T im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3116-R-Transistor könnte nur mit "C3116-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3116-R ist der 2SA1248-R.

SMD-Version des Transistors 2SC3116-R

Der 2N5551S (SOT-23), DXT5551 (SOT-89), DZT5551 (SOT-223), KST43 (SOT-23), KST5551 (SOT-23) und MMBT5551 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC3116-R-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3116-R

Sie können den Transistor 2SC3116-R durch einen 2SC1565A, 2SC2690A, 2SC2690A-Q, 2SC3117, 2SC3117-R, 2SC3902, 2SC3902-R, 2SD669A, 2SD669A-C, KSC2690A, KSC2690A-O oder KTC2800 ersetzen.
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