Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2773-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
Verlustleistung, max: 150 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: MT-200
Pinbelegung des 2SC2773-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2773-P kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2773 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des 2SC2773-O im Bereich von 50 bis 100, die des 2SC2773-Y im Bereich von 90 bis 180.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2773-P-Transistor könnte nur mit "C2773-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2773-P ist der 2SA1169-P.
