Bipolartransistor 2SC3857-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3857-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: MT-200

Pinbelegung des 2SC3857-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3857-P kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3857 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des 2SC3857-O im Bereich von 50 bis 100, die des 2SC3857-Y im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3857-P-Transistor könnte nur mit "C3857-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3857-P ist der 2SA1493-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3857-P

Sie können den Transistor 2SC3857-P durch einen 2SC2773, 2SC2773-P, 2SC2774, 2SC2774-Y, 2SC3264, 2SC3264-Y, 2SC3858 oder 2SC3858-P ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com