Bipolartransistor 2SC2773-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2773-Y

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: MT-200

Pinbelegung des 2SC2773-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2773-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2773 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des 2SC2773-O im Bereich von 50 bis 100, die des 2SC2773-P im Bereich von 70 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2773-Y-Transistor könnte nur mit "C2773-Y" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2773-Y ist der 2SA1169-Y.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2773-Y

Sie können den Transistor 2SC2773-Y durch einen 2SC3857, 2SC3857-Y, 2SC3858 oder 2SC3858-Y ersetzen.
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