Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1473AP
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.07 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 100
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1473AP
Der 2SC1473AP wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1473AP kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1473A liegt im Bereich von 30 bis 220, die des 2SC1473AQ im Bereich von 60 bis 150, die des 2SC1473AR im Bereich von 100 bis 220.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1473AP-Transistor könnte nur mit "C1473AP" gekennzeichnet sein.
