Bipolartransistor 2SB903-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB903-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB903-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB903-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB903 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB903-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB903-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB903-R-Transistor könnte nur mit "B903-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB903-R ist der 2SD1212-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB903-R

Sie können den Transistor 2SB903-R durch einen 2SA1328, 2SA1451, 2SA1451A, 2SA1744, 2SA1744-M, 2SB1136, 2SB1136-R, 2SB826, 2SB826-R, BD546, BD546A, BDT82 oder BDT82F ersetzen.
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