Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB903-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB903-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB903-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB903 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB903-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB903-S im Bereich von 140 bis 280.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB903-R-Transistor könnte nur mit "B903-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB903-R ist der 2SD1212-R.
