Bipolartransistor 2SB755-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
• Verlustleistung, max: 120 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 55 bis 110
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: MT-200

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB755-R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 110 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB755 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SB755-O im Bereich von 80 bis 160.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB755-R-Transistor könnte nur mit "B755-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB755-R ist der 2SD845-R.Sie können den Transistor 2SB755-R durch einen 2SA1095, 2SA1095-R, 2SA1169, 2SA1170, 2SA1187, 2SA1215, 2SA1216, 2SA1295, 2SA1493 oder 2SA1494 ersetzen.