Bipolartransistor 2SA1170

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -17 A
• Verlustleistung, max: 200 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 140
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: MT-200

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1170 kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1170-O liegt im Bereich von 50 bis 100, die des 2SA1170-Y im Bereich von 70 bis 140.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1170-Transistor könnte nur mit "A1170" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1170 ist der 2SC2774.Sie können den Transistor 2SA1170 durch einen 2SA1295 oder 2SA1494 ersetzen.