Bipolartransistor 2SA1215

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1215

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: MT-200

Pinbelegung des 2SA1215

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1215 kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1215-O liegt im Bereich von 50 bis 100, die des 2SA1215-P im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA1215-Y im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1215-Transistor könnte nur mit "A1215" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1215 ist der 2SC2921.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1215

Sie können den Transistor 2SA1215 durch einen 2SA1169, 2SA1216, 2SA1493 oder 2SA1494 ersetzen.
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