Bipolartransistor 2SB753-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB753-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SB753-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB753-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB753 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SB753-O im Bereich von 70 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB753-Y-Transistor könnte nur mit "B753-Y" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB753-Y ist der 2SD843-Y.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB753-Y

Sie können den Transistor 2SB753-Y durch einen 2SA1093, 2SA1093-Y, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1146-Y, 2SA1633, 2SA1788, 2SB965, 2SB966, BD246B, BD246C, BD250B, BD250C, BDV94, BDV96 oder TIP36CA ersetzen.
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