Bipolartransistor 2SB726-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB726-S

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 260 bis 520
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SB726-S

Der 2SB726-S wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB726-S kann eine Gleichstromverstärkung von 260 bis 520 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB726 liegt im Bereich von 180 bis 700, die des 2SB726-R im Bereich von 180 bis 360, die des 2SB726-T im Bereich von 360 bis 700.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB726-S-Transistor könnte nur mit "B726-S" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB726-S

Sie können den Transistor 2SB726-S durch einen 2SA1049, 2SA1081, 2SA1082, 2SA1084, 2SA1085, 2SA1269, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA1316, 2SA970 oder 2SB560 ersetzen.
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