Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB598-G
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 0.6 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 280 bis 560
Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SB598-G
Der 2SB598-G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB598-G kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB598 liegt im Bereich von 60 bis 560, die des 2SB598-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB598-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB598-F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB598-G-Transistor könnte nur mit "B598-G" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB598-G ist der 2SD545-G.
SMD-Version des Transistors 2SB598-G
Der BC808 (SOT-23), BC808-40 (SOT-23), BC808-40W (SOT-323) und BC808W (SOT-323) ist die SMD-Version des 2SB598-G-Transistors.
