Bipolartransistor 2SB1299

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 300 bis 700
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1299 kann eine Gleichstromverstärkung von 300 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1299P liegt im Bereich von 400 bis 700, die des 2SB1299Q im Bereich von 300 bis 500.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1299-Transistor könnte nur mit "B1299" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1299 ist der 2SD1273.Sie können den Transistor 2SB1299 durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.