Bipolartransistor 2SB1157

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1157

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SB1157

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1157 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1157-P liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1157-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1157-S im Bereich von 80 bis 160.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1157-Transistor könnte nur mit "B1157" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1157 ist der 2SD1712.

SMD-Version des Transistors 2SB1157

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1157-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1157

Sie können den Transistor 2SB1157 durch einen 2SA1141, 2SB1054, 2SB1055, 2SB1056, 2SB1057, 2SB1158, 2SB1159, 2SB1160 oder 2SB1161 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com