Bipolartransistor 2SB1157

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 60 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1157 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1157-P liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1157-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1157-S im Bereich von 80 bis 160.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1157-Transistor könnte nur mit "B1157" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1157 ist der 2SD1712.Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1157-Transistors.Sie können den Transistor 2SB1157 durch einen 2SA1141, 2SB1054, 2SB1055, 2SB1056, 2SB1057, 2SB1158, 2SB1159, 2SB1160 oder 2SB1161 ersetzen.