Bipolartransistor 2SA512-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA512-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2SA512-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA512-O kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA512 liegt im Bereich von 30 bis 150, die des 2SA512-R im Bereich von 30 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA512-O-Transistor könnte nur mit "A512-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA512-O ist der 2SC512-O.

SMD-Version des Transistors 2SA512-O

Der FMMT551 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA512-O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA512-O

Sie können den Transistor 2SA512-O durch einen 2N5322, 2N5323, 2SA510 oder 2SA510-O ersetzen.
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