Bipolartransistor 2N5323

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5323

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -75 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -75 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2N5323

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5323 ist der 2N5321.
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